可实现金属，氧化物，硫化物等薄膜样品的制备，配有三靶，可实现单靶溅射/多靶共溅，样品台可旋转、加热，配有直流电源（0-500V）、射频电源（0-500W）
设备用途：
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。能实现在玻璃、陶瓷和硅片基底上的Cu、Al、NI、聚四氟乙烯（PTFE）薄膜的制备，能实现Al/Ni、Al/聚四氟乙烯多层膜的镀膜工艺自动化制备； 采用三靶直溅射镀膜方式镀膜，采用高性能进口磁控溅射靶和配有最先进的进口电源，保证了膜的质量；配有阳极层离子源进行清洗和辅助沉积，同时设备具有反溅射清洗功能，以提高膜的质量和牢固度。
设备组成
系统主要由溅射真空室、永磁磁控溅射靶（三个靶）、单基片加热台、直流电源、射频电源、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。
技术指标：
1. 极限真空度6.7×10-5Pa； 分子泵满速1小时后真空度达到4×10-4Pa；
2. 超高真空磁控靶：有效尺寸3英寸，数量：3支，永磁靶（自带侧开挡板和CF100安装法兰），水冷；
3. 靶基距120-200mm可调，用光轴加直线轴承导向，可手动连续调节，有刻度指示；三靶共溅射，靶可摆角度，角度为0～45℃；
4. 样品加热：采用碘钨灯加热方式对样品进行加热，样品最高可加热250℃；
5. 磁控溅射样品有效尺寸：Φ60mm，一次只镀1片；镀膜时样品架实现自转，自转转速为0～50转/分；样品加负偏压0-200V可调；
6. 气体控制：气体流量通过两路质量流量控制器控制，流量范围为：0～50 sccm；
7. 系统带有计算机控制功能，主要实现样品的加热控制；样品的旋转控制；磁控靶档板的控制；真空度的采集。
服务流程
样品要求
