1.在各种工作条件下进行精确测量 
-针对高达1500 A和10 kV的功率器件特性的一体化解决方案 
-具有高压偏置的中等电流测量（例如500 V，1200 V） 
-μΩ导通电阻测量能力 
-精确的亚皮安级别，高压偏置下的电流测量 
2.广泛的设备评估功能 
-电容（Ciss，Coss，Crss等）测量，最高可达3000 V DC偏压 
-高功率脉冲测量，最低可达10μs 
-封装器件和晶圆上IGBT / FET栅极电荷测量 
-高电压/高电流快速开关选项，用于表征GaN电流崩塌效应 
-最多五个高压（3 kV）源/测量通道，以实现最大的灵活性 
3.提高了测量效率 
-无需可重复切换即可在高压和高电流测量之间切换 
-用于封装和晶圆上器件的晶体管结电容（Ciss，Coss，Crss，Cgs，Cgd，Cds等）的自动测试电路形成 
-带互锁的标准测试夹具，用于安全封装的功率器件测试 
-支持并确保超过200 A和高达10 kV的晶圆上高功率测试 
基于MS Windows的EasyEXPERT软件有助于数据管理和分析